型號: | BSS84-7 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
中文描述: | 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 92K |
代理商: | BSS84-7 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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BSS91 | Capacitor Kit;Contents Of Kit:36 different values, 20 pcs. per value |
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BST120 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSS84-7-F | 功能描述:MOSFET -50V 250mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSS84-7-F-31 | 制造商:DIODES 功能描述:P-Channel NPN MOSFET / SOT-23 |
BSS84AK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 50V 0.18A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 50V, 0.18A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 50V, 0.18A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-180mA; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.6V ;RoHS Compliant: Yes |
BSS84AK,215 | 功能描述:MOSFET P-CH -50 V -180 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSS84AK-BR | 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |