參數(shù)資料
型號： BSS62
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Darlington transistors
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： BSS62
1997 May 14
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistors
BSS61; BSS62
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSS61
BSS62
collector-emitter voltage
BSS61
BSS62
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
open emitter
80
90
V
V
V
CES
V
BE
= 0
65
65
60
80
5
1
2
100
0.8
5
+150
200
+150
V
V
V
A
A
mA
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to case
in free air
220
35
K/W
K/W
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PDF描述
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