參數(shù)資料
型號: BSS59
元件分類: TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述: Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|到18
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 109K
代理商: BSS59
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSV82 TRANSISTOR | BJT | PNP | TO-39
BSV84 TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
BSW39 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
BSW40 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
BSW51 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-39
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS5AOSAPH 制造商:Brady Corporation 功能描述:
BSS606N H6327 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS606NH6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSS606NH6327XT 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS606NH6327XTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL N-CH