參數(shù)資料
型號(hào)： BSP75G(2)
英文描述： Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
文件頁(yè)數(shù)： 1/17頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： BSP75G(2)
2000-03-07
Page 1
BSP 752 R
Smart Power High-Side-Switch
Product Summary
Overvoltage protection
Operating voltage
On-state resistance
Nominal load current
V
bb(AZ)
V
bb(on)
R
ON
I
L(nom)
62
V
6...52 V
200
1.3
m
W
A
Features
·
Overload protection
·
Current limitation
·
Short circuit protection
·
Thermal shutdown with restart
·
Overvoltage protection (including load dump)
·
Fast demagnetization of inductive loads
·
Reverse battery protection with external resistor
·
Open drain diagnostic output for overtemperature
and short circuit
·
Open load detection in OFF - State
with external resistor
·
CMOS compatible input
·
Loss of GND and loss of V
bb
protection
·
ESD - Protection
·
Very low standby current
Application
All types of resistive, inductive and capacitive loads
μC compatible power switch for 12 V, 24 V and 42 V DC applications
Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input
and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS
a
technology.
Fully protected by embedded protection functions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP762-T ?100mΩ. 5-34V 2.4A. P-DSO-8?
BSP772-T ?60mΩ. 5-34V 2.6A. P-DSO-8?
BSP92 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSR13 NPN switching transistors
BSR13 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP75GQTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BSP75GQTC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
BSP75GTA 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 TobereleasedQ4/03 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
BSP75GTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:BSP75 60V 0.55 Ohm Self-Protected Low-Side IntelliFETTM MOSFET Switch- SOT-223
BSP75GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
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