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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSP31 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 中功率功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | BSP31 |
BSP 317
Data Sheet
2
05.99
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Chip or operating temperature
T
j
T
stg
R
thJA
R
thJS
-55 ... + 150
C
Storage temperature
-55 ... + 150
≤
70
≤
10
Thermal resistance, chip to ambient air
K/W
Therminal resistance, junction-soldering point
1)
DIN humidity category, DIN 40 040
E
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
55 / 150 / 56
1) Transistor on epoxy pcb 40 mm x 40 mm x 1,5 mm with 6 cm
2
copper area for drain connection
Electrical Characteristics,
at
T
j
= 25C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25 mA,
T
j
= 25 C
Gate threshold voltage
V
(BR)DSS
-200
-
-
V
V
GS=
V
DS,
I
D
= -1 mA
Zero gate voltage drain current
V
GS(th)
-0.8
-1.1
-2
V
DS
= -200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= -200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
V
DS
= -130 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
-
-
-10
-0.1
-100
-100
-1
μA
nA
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
I
GSS
-
-10
-100
nA
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.37 A
R
DS(on)
-
3.4
6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP31 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSPD25N06S2-40 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA |
| BSPD30N08S2-22 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
| BSPE100XL240V | JIGSAW |
| BSR14-MR | TRANSISTOR BSR14 MINIREEL 500PCS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP31 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP31,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP31115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-223 |
| BSP3-120 | 功能描述:SURGE PROTECTOR-120V DRIVER RoHS:是 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 照明保護(hù) 系列:BSP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術(shù):混合技術(shù) 功率（瓦特）:- 電路數(shù):1 應(yīng)用:LED 保護(hù) 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-214AA（SMB） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-13082-6 |
| BSP3-120-LC | 功能描述:SURGE PROTECTOR-120V DRIVER RoHS:是 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 照明保護(hù) 系列:BSP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術(shù):混合技術(shù) 功率（瓦特）:- 電路數(shù):1 應(yīng)用:LED 保護(hù) 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-214AA（SMB） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-13082-6 |
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