參數(shù)資料
型號(hào)： BSP254
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 200 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VARIANT, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 76K
代理商： BSP254
April 1995
5
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP254; BSP254A
Fig.5 Typical output characteristics; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
5
10
15
20
MDA706
VDS (V)
VGS =
10 V
4 V
3 V
6 V
5 V
Fig.6
Typical transfer characteristic; V
DS
=
10 V;
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2
4
6
8
MDA707
VGS (V)
Fig.7
Typical on-resistance as a function of drain
current, T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
28
8
12
ID
(mA)
RDSon (
)
16
20
24
3
10
2
10
MDA708
VGS =
10 V
5 V
4 V
Fig.8
Typical capacitances as a function of
drain-source voltage; V
GS
= 0; f = 1 MHz;
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
120
80
40
0
5
10
25
20
15
MDA734
VDS (V)
Crss
Ciss
Coss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP254A P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP255 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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BSP254A,126 功能描述:MOSFET AMMORA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP254A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P TO-92
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