參數(shù)資料
型號(hào)： BSO615C G
廠商： Infineon Technologies
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： SIPMOS®
FET 型： N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)： 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)： 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 3.1A，2A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 110 毫歐 @ 3.1A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： 2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 22.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 380pF @ 25V
功率 - 最大： 2W
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： PG-DSO-8
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱(chēng)： BSO615CINDKR
1
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
DESCRIPTION
FEATURES
s Differential PECL data and clock inputs
s 48mA sink, 15mA source TTL outputs
s Single +5V power supply
s Multiple power and ground pins to minimize noise
s Specified within-device skew
s VBB output for single-ended use
s Fully compatible with MC10H/100H607
s Available in 28-pin PLCC package
The SY10/100H607 are 6-bit, registered, dual supply
PECL-to-TTL translators. The devices feature differential
PECL inputs for both data and clock. The TTL outputs
feature 48mA sink, 15mA source drive capability for
driving high fanout loads. The asynchronous master reset
control is a PECL level input.
With its differential PECL inputs and TTL outputs, the
H607 device is ideally suited for the receive function of a
HPPI bus-type board-to-board interface application. The
on-chip registers simplify the task of synchronizing the
data between the two boards.
The device is available in either ECL standard:
the
10H device is compatible with 10K logic levels, while the
100H device is compatible with 100K logic levels.
BLOCK DIAGRAM
SY10H607
SY100H607
Rev.: G
Amendment: /0
Issue Date:
March 2006
DQ
R
CLK
Dn
CLK
Qn
MR
VBB
1 OF 6 BITS
Dn
REGISTERED HEX
PECL-TO-TTL
Pin
Function
D0 – D5
True PECL Data Inputs
D0 – D5
Inverted PECL Data Inputs
CLK, CLK
Differential PECL Clock Input
MR
PECL Master Reset Input
Q0 – Q5
TTL Outputs
VCCE
PECL VCC (5.0V)
VCCT
TTL VCC (5.0V)
TGND
TTL Ground
EGND
PECL Ground
VBB
VBB Reference Output (PECL)
PIN NAMES
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSO615CT 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:SIPMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
BSO615N 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:SIPMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
BSO615N G 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO615NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 2.6A Logic SOIC8
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