型號(hào): | BSO303P H |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 個(gè) P 溝道(雙) |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 21 毫歐 @ 8.2A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 100µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2678pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
其它名稱: | BSO303P HDKR |
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PDF描述 |
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