型號: | BSN6010L |
英文描述: | High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)決策支持系統(tǒng)|采用SOT - 23 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 207K |
代理商: | BSN6010L |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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BSO 612 CV G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |