參數(shù)資料
型號： BSM75GD60DLC
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 341K
代理商： BSM75GD60DLC
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PDF描述
BSM75GP60 High Voltage Rectifer Diodes
BSN10AMO High Voltage Rectifer Diodes
BSN10 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
BSN10A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
BSN254AAMO TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-92VAR
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參數(shù)描述
BSM75GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM-8S 5700.2 制造商:ALTECH CORP 功能描述:Conn; Term Blk; Comp.Carrier;CCA;250V;6A;22-12 AWG;24 Pole;NoSolderPosts;124mm L
BSME100ELL101MF11D 制造商:Nippon Chemi-Con 功能描述:Aluminium Electrolytic Capacitor
BSME100ELL102MK20S 制造商:Nippon Chemi-Con 功能描述:Aluminium Electrolytic Capacitor
BSME100ELL220ME11D 制造商:Nippon Chemi-Con 功能描述:Aluminium Electrolytic Capacitor
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