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參數(shù)資料
| 型號： | BSM75GB120D |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 341K |
| 代理商： | BSM75GB120D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM75GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
| BSM75GB100D | High Voltage Rectifer Diodes |
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| BSM75GD60DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM75GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2_E3223 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2_E3223c-Se | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2E3223 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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