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參數(shù)資料
| 型號： | BSM50GP60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| 中文描述： | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | BSM50GP60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM75GB120D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
| BSM75GB100D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GB160D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GD120DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM50GP60_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GP602 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| BSM50GP60G | 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GX120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM600GA120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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