參數(shù)資料
型號： BSM50GP120
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 335K
代理商： BSM50GP120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM50GP602 High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GP60G High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB120D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB160D High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM50GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標準包裝:10
BSM50GP60 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GP60_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GP602 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
BSM50GP60G 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*