參數(shù)資料
型號(hào)： BSM50GD120DLC
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 335K
代理商： BSM50GD120DLC
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PDF描述
BSM50GD170DLV High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD60DLC High Voltage Rectifer Diodes
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參數(shù)描述
BSM50GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GD120DN2E3226 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GD120DN2G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GD170DL 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GD170DLV 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
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