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BSM50GP60	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
BSM75GB120D	High Voltage Rectifer Diodes
BSM75GAL100D	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)CES \| 75A I(C)
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BSM50GB170DN2	功能描述:IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB170DN2HOSA1	功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購買時間 IGBT 類型:- 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10
BSM50GB60DLC	功能描述:IGBT 模塊 600V 50A DUAL RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB60DLCHOSA1	功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10
BSM50GD120DLC	功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A 3-PHASE RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

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BSM50GB170DN2

功能描述:IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

BSM50GB170DN2HOSA1

功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購買時間 IGBT 類型:- 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10

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功能描述:IGBT 模塊 600V 50A DUAL RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

BSM50GB60DLCHOSA1

功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10

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功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A 3-PHASE RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

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型號：	BSM50GB160D
英文描述：	High Voltage Rectifer Diodes
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\|半橋\| 1.6KV五（巴西）國際消費電子展\|第70A一（c）
文件頁數(shù)：	5/8頁
文件大?。?/td>	335K
代理商：	BSM50GB160D

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