參數(shù)資料
型號： BSM50GB120D
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： BSM50GB120D
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PDF描述
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BSM75GAL100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 75A I(C)
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參數(shù)描述
BSM50GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB160D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 70A I(C)
BSM50GB170DN2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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