- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369500 > BSM50GB100D High Voltage Rectifer Diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BSM50GB100D |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 50A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | BSM50GB100D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM50GB120D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GB160D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GP60 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| BSM75GB120D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GAL100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM50GB120D | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM50GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GB120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GB160D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 70A I(C) |
| BSM50GB170DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。