參數(shù)資料
型號： BSM300GAR120DLC
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： BSM300GAR120DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,9
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
1,4
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
+ 15% / -15%
4
Nm
-15
+15
%
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
-
Nm
-
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
M
3 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BSM300GB120DLC_E3256 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GB60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 30A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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