參數(shù)資料
型號： BSM300GA170DLC
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： BSM300GA170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
0
10
20
30
40
50
60
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
T
vj
= 125°C
4 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關PDF資料
PDF描述
BSM300GAR120DLC IGBT Module
BSM300GB60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GD60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP602 High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BSM300GA170DLS 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DN2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 440A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DN2_E3166 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 440A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DN2_E3166C-SE 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM300GA170DN2E3166 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
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