參數(shù)資料
型號(hào)： BSM300GA160D
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.6KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|四樓一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： BSM300GA160D
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
10
20
30
40
50
60
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
10
20
30
40
50
60
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM300GA170DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GAR120DLC IGBT Module
BSM300GB60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GD60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GP602 High Efficient Rectifier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM300GA160DN13C_E3212 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DL 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DLC 功能描述:IGBT 模塊 900V 300A IGBT MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DLS 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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