參數(shù)資料
型號： BSM300GA120DN2S
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 430A一（c）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： BSM300GA120DN2S
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Eon
Eoff
Erec
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
0
5
10
15
20
25
30
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 30A , V
CC
= 300V , T
vj
= 125°C
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
G,on
= 6,8
,
=
R
G,off
= 6,8
, V
CC
= 300V, T
vj
= 125°C
6 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM300GA160D High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA170DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GAR120DLC IGBT Module
BSM300GB60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM30GD60DLC High Efficient Rectifier Diodes
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參數(shù)描述
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BSM300GA120DN2SE3256 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
BSM300GA120DN2SE325HOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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BSM300GA160DN13C_B7 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1600V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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