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參數(shù)資料
| 型號： | BSM300GA120D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 300?我（丙） |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | BSM300GA120D |
Technische Information / Technical Information
BSM 30 GD 60 DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,9
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
1,4
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
+ 15% / -15%
4
Nm
-15
+15
%
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
-
Nm
-
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
M
3 (8)
BSM 30 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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