參數(shù)資料
型號(hào): BSM25GD100D
廠商: SIEMENS A G
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: IGBT MODULE
中文描述: 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商: BSM25GD100D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BST-110-13-L-D-230-RA 20 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-127-08-G-D230-RA 54 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-126-08-G-D-230-RA 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-126-08-T-D-230-RA 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
BST-126-09-G-D-230-RA 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM25GD120D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM25GD120D2 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
BSM25GD120DLCE3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM25GD120DLCE3224XXX 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM25GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 25A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: