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參數(shù)資料
| 型號： | BS250CSM4 |
| 英文描述： | P-Channel |
| 中文描述： | P溝道 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | BS250CSM4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS250 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| BS250 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR |
| BS250 | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| BS250 | DMOS Transistors (P-Channel) |
| BS256F1C | MEMORY CARD 256K SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS250F | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BS250FTA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS250FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BS250F Series 45 V 14 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
| BS250FTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS250KL | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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