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參數(shù)資料
| 型號： | BS210 |
| 英文描述： | O RING NITRIL INNEN 3/4ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
| 中文描述： | O型圈NITRIL INNEN 3/4ZOLL Inhalt親Packung：50沙頭角。 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 1017K |
| 代理商： | BS210 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS210VITON | O RING VITON INNEN 3/4 ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
| BS211 | O RING NITRIL INNEN 13/16ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
| BS211VITON | O RING VITON INNEN 13/16 ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
| BS212 | O RING NITRIL INNEN 7/8ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
| BS212VITON | O RING VITON INNEN 7/8 ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk. |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS210 NBR | 制造商:M BARNWELL SERVICES 功能描述:O RING 3/4 ID 1 OD |
| BS210 VITON | 制造商:M BARNWELL SERVICES 功能描述:BS210 VITON O-RINGS |
| BS2100F-E2 | 功能描述:IC DVR IGBT/MOSFET 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not For New Designs 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1V，2.6V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:60mA，130mA 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:200ns，100ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 |
| BS2101F-E2 | 功能描述:600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 |
| BS2103F-E2 | 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1V，2.6V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:60mA，130mA 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:200ns，100ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 |
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