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參數(shù)資料
| 型號： | BS170/D74Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BS170/D74Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD801AJ | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| BFC14 | 56 A, 400 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| BUX41N | 18 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| BIF-50 | LOW PASS FILTER |
| BP140+/-20MHZ-1025 | TELECOM FILTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS170-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:BS170 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BS170F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 150mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| BS170F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| BS170FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS170FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BS170 Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
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