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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BR9040F-D |
| 英文描述： | Silicon Rectifier Diodes |
| 中文描述： | 內(nèi)存大規(guī)模集成電路 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 202K |
| 代理商： | BR9040F-D |
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BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
Memory IC
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
3/14
z
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
0.3
～+
7.0
V
mW
800
1
450
2
300
3
DIP8
SSOP-B8
SOP8
MSOP8
310
4
65
～+
125
°
C
40
～+
85
°
C
V
CC
Pd
Tstg
Topr
0.3
～
V
CC
+
0.3
V
1 Degradation is done at 8.0mW/
C for operation above Ta=25
C
2 Degradation is done at 4.5mW/
C for operation above Ta=25
C
3 Degradation is done at 3.0mW/
C for operation above Ta=25
C
4 Degradation is done at 3.1mW/
C for operation above Ta=25
C
Supply Voltage
Power
dissipation
Storage Temperature
Operating Temperature
Terminal Voltage
BR9010-W,
BR9020-W,
BR9040-W
BR9010F-W,
BR9020F-W,
BR9040F-W
BR9010FV-W, BR9010RFV-W,
BR9020FV-W, BR9020RFV-W,
BR9040FV-W, BR9040RFV-W
BR9010RFVM-W,
BR9020RFVM-W,
BR9040RFVM-W
z
Recommended Operating Condition
(Ta
=
25
°
C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
5.5
V
2.0
2.7
5.5
V
V
IN
0
V
CC
V
Supply voltage
Write
Read
Input voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR9040F-W | Silicon Rectifier Diodes |
| BR9040RFVM-W | Silicon Rectifier Diodes |
| BR93C46 | Silicon Rectifier Diodes |
| BR93CS46 | Silicon Rectifier Diodes |
| BR93CS46F | Silicon Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BR9040FV-W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:メモリLSI |
| BR9040F-W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Memory LSIs |
| BR9040F-WE2 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 3 WIRE SERIAL DIRECT CONNECT RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| BR9040RFVM-W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Memory LSIs |
| BR9040RFV-W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:メモリLSI |
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