參數(shù)資料
型號： BR9010F-W
英文描述： メモリLSI
中文描述： メモリ大規(guī)模集成電路
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： BR9010F-W
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
IC
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
z
(
Ta
=
40~
+
85
°
C, V
CC
=
2.7V~5.5V)
4/14
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
I
OL
=2.1mA
I
OH
=
0.4mA
DI pin
DI pin
CS, SK, WC pin
CS, SK, WC pin
V
IN
=0V
～
V
CC
Symbol
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
f
SK
0.7
×
V
CC
0.8
×
V
CC
0
V
CC
0.4
1
1
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
mA
mA
μ
A
MHz
0.3
×
V
CC
0.2
×
V
CC
0.4
V
CC
2
1
3
2
1
1
V
OUT
=0V
～
V
CC
, CS=V
CC
CS, SK, DI, WC=V
CC
, DO, R / B=OPEN
f
SK
=2MHz, tE / W=10ms (WRITE)
f
SK
=2MHz (READ)
"LOW"
1
"HIGH"
1
"LOW"
2
"HIGH"
2
"LOW"
"HIGH"
SK
(
Ta
=
40~
+
85
°
C, V
CC
=
2.7V~3.3V)
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
I
OL
=100
μ
A
I
OH
=
100
μ
A
DI pin
DI pin
CS, SK, WC pin
CS, SK, WC pin
V
IN
=0V
～
V
CC
Symbol
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
f
SK
0.7
×
V
CC
0.8
×
V
CC
0
V
CC
0.4
1
1
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
mA
mA
μ
A
MHz
0.3
×
V
CC
0.2
×
V
CC
0.4
V
CC
1.5
0.5
2
2
1
1
V
OUT
=0V
～
V
CC
, CS=V
CC
CS, SK, DI, WC=V
CC
, DO, R / B=OPEN
f
SK
=2MHz, tE / W=10ms (WRITE)
f
SK
=2MHz (READ)
"LOW"
1
"HIGH"
1
"LOW"
2
"HIGH"
2
"LOW"
"HIGH"
SK
相關PDF資料
PDF描述
BR9010RFVM-W メモリLSI
BR9010RFV-W メモリLSI
BR9010-W メモリLSI
BR9020F-W Silicon Rectifier Diodes
BR9020RFV-W Silicon Rectifier Diodes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BR9010F-WE2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
BR9010RFVM-W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:メモリLSI
BR9010RFVM-WTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
BR9010RFV-W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:メモリLSI
BR9010-W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:メモリLSI
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