參數(shù)資料
型號： BR100F
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： BR100F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BR101A TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
BR101C TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AA
BR101E TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC
BR101F TRANSISTOR | BJT | NPN | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC
BR100LLD Silicon Bi-directional Trigger Device
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BR100LLD 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Bi-directional Trigger Device
BR100WS 制造商:GARVIN 功能描述:Bridle Rng 1 Wood Screw Thrd
BR101 功能描述:橋式整流器 10A 100V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BR1010 功能描述:橋式整流器 10A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BR10100085 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
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