| 型號(hào)： | BQ4014YMB-120 |
| 廠商： | Texas Instruments |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 15 |
| 格式 - 存儲(chǔ)器： | RAM |
| 存儲(chǔ)器類型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存儲(chǔ)容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并聯(lián) |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 32-DIP 模塊（18.42x52.96） |
| 包裝： | 管件 |