參數(shù)資料
型號： BQ2201S-N
英文描述： Fast Recovery Bridge Rectifiers
中文描述： 非易失控制器
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： BQ2201S-N
6
TD220102.eps
VCC
CECON
tPF
tFS
4.75
VPFD
4.25
VSO
tWPT
VOHB
CE
Power-Down Timing
Power-Fail Control
(TA = TOPR)
Symbol
Parameter
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Notes
t
PF
V
CC
slew, 4.75V to 4.25V
300
-
-
μ
s
t
FS
V
CC
slew, 4.25V to V
SO
10
-
-
μ
s
t
PU
V
CC
slew, 4.25V to 4.75V
0
-
-
μ
s
t
CED
Chip-enable propagation
delay
-
7
10
ns
t
CER
Chip-enable recovery
40
80
120
ms
Time during which SRAM is
write-protected after V
CC
passes V
PFD
on power-up.
t
WPT
Write-protect time
40
100
150
μ
s
Delay after V
CC
slews down
past V
PFD
before SRAM is
write-protected.
Note:
Typical values indicate operation at T
A
= 25°C.
Caution:
Negative undershoots below the absolute maximum rating of -0.3V in battery-backup mode
may affect data integrity.
Oct. 1998 D
bq2201
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