參數(shù)資料
型號(hào)： BLV193
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： BLV193
March 1993
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV193
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current, typical values.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
200
μ
s;
δ ≤
0.02.
handbook, halfpage
hFE
MRA559
0
20
40
60
80
0
2
4
IC (A)
6
10 V
VCE = 12.5 V
Fig.5
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage, typical values.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
MRA546
0
10
20
30
40
0
4
8
VCB (V)
12
16
Fig.6
Feedback capacitance as a function of
collector-emitter voltage, typical values.
f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cre
(pF)
MRA554
0
10
20
30
0
4
8
VCE (V)
12
16
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