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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLU86 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | BLU86 |
September 1991
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLU86
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
open emitter;
I
C
= 2.5 mA
open base;
I
C
= 10 mA
open collector;
I
E
= 0.5 mA
V
BE
= 0;
V
CE
= 16 V
V
CE
= 10 V;
I
C
= 150 mA
L = 25 mH;
R
BE
= 10
;
f = 50 Hz
V
CB
= 12.5 V;
I
E
= I
e
= 0;
f = 1 MHz
V
CE
= 12.5 V;
I
C
= 0;
f = 1 MHz
32
V
V
(BR)CEO
collector-emitter breadown voltage
16
V
V
(BR)EBO
emitter-base breakdown voltage
3
V
I
CES
collector-emitter leakage current
1
mA
h
FE
DC current gain
25
E
SBR
second breakdown energy
0.3
mJ
C
C
collector capacitance
2.2
2.6
pF
C
re
feedback capacitance
1.2
1.8
pF
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
handbook, halfpage
hFE
MRA237
0
20
40
60
80
0
200
400
IC (mA)
600
10 V
VCE = 12.5 V
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage, typical values.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
00
1
2
3
4
5
10
VCB (V)
15
MRA234
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BLU99 | UHF power transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BLU99 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Bipolar Module RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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