參數(shù)資料
型號: BLT70
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF power transistor
封裝: BLT70<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 3/11頁
文件大小: 60K
代理商: BLT70
1996 Feb 06
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLT70
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
16
8
2.5
250
2.1
+150
175
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
T
s
= 60
°
C; note 1
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
0
Ptot
(W)
2
1
0
100
Ts (
o
C)
200
MGD197
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the “Limiting values” and “Thermal characteristics”
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
P
tot
= 2.1 W; T
s
= 60
°
C; note 1
55
K/W
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