參數(shù)資料
型號: BLP7G10S-140G
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: Power LDMOS transistor
封裝: BLP7G10S-140G<SOT1204 (HSOP4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1204.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù): 1/9頁
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代理商: BLP7G10S-140G
High Performance RF for
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLP7G22-10,135 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 700-2200MHz 65V 27dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLP7G22-10Z 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BLP7G22-10/HVSON12/REEL7DP// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS 12HVSON
BLP8G05S-200GY 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W SOT1204-2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙),共源 頻率:440MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:2mA 功率 - 輸出:210W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1204-2 供應(yīng)商器件封裝:SOT1204-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
BLP8G05S-200Y 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS(雙),共源 頻率:440MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:2mA 功率 - 輸出:210W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1138-2 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1