參數(shù)資料
型號： BLF6G10LS-200R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27.5 %; Frequency band: 869 - 894 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BLF6G10LS-200R
BLF6G10LS-200R_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 01 — 21 January 2008
5 of 10
NXP Semiconductors
BLF6G10LS-200R
Power LDMOS transistor
7.4 2-carrier W-CDMA
8.
Test information
VDS = 28 V; IDq = 1400 mA; f = 881 MHz (±5 MHz);
carrier spacing 10 MHz.
VDS = 28 V; IDq = 1400 mA; f = 881 MHz (±5 MHz);
carrier spacing 10 MHz.
Fig 4.
2-carrier W-CDMA power gain and drain
efciency as functions of average load power;
typical values
Fig 5.
2-carrier W-CDMA adjacent channel power ratio
and third order intermodulation distortion as
functions of average load power; typical values
001aah521
PL(AV) (W)
060
40
20
19
21
22
Gp
(dB)
ηD
(%)
18
20
10
30
40
0
Gp
ηD
001aah522
PL(AV) (W)
060
40
20
45
50
40
35
IMD3,
ACPR
(dBc)
55
IMD3
ACPR
The drawing is not to scale.
Fig 6.
Test circuit for operation at 800 MHz
001aah523
output
50
input
50
R2
R3
R1
L1
VDD
VGG
C2
C15
C6
C5
C9
C10
C12
C14
C18
C7
C8
C11
C13
C17
C3
C1
C16
相關PDF資料
PDF描述
BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 27 %; Frequency band: 800-1000 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 40 W; Package material: SOT502B ; Power gain: 20 dB
BLF872 UHF power LDMOS transistor - Description: UHF LDMOS POWER Transistor ; Efficiency: 55 %; Frequency band: 470-860 GHz; Output power: 300 W; Package material: SOT800A ; Power gain: 16.5 dB
BLH2-21-35PC-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
BLH2-21-39PN-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
BLH2-23-21PK-1 MIL SERIES CONNECTOR, RECEPTACLE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BLF6G10LS-200R,118 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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