參數(shù)資料
型號(hào)： BLF2043F
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | FO-67VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 2.2AI（四）|佛67VAR
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： BLF2043F
2002 May 17
8
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2022-70
handbook, full pagewidth
INPUT
PH990109
OUTPUT
PH990110
MGU538
VDD
VGS
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
F1
R2
R1
C4
C3
C1
C2
INPUT
PH990109
OUTPUT
PH990110
50
95
50
Fig.11 Component layout for 2.2 GHz class-AB test circuit.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad printed-circuit board with Teflon dielectric (
ε
r
= 2.2), thickness 0.79 mm.
The other side is unetched and serves as a ground plane.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLF2043F,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 BULK TNS-RFPR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF2043F,135 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS 10W UHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF2045 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 BULK TNS-RFPR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLF2045,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 BULK TNS-RFPR RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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