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參數(shù)資料
| 型號： | BGY118B |
| 英文描述： | SHF POWER MODULE |
| 中文描述： | 超高頻電源模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/15頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | BGY118B |
1996 May 13
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier modules
BGY115A; BGY115B;
BGY115C/P; BGY115D
CHARACTERISTICS
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; V
S
= 6 V; V
C
≤
3.5 V; T
mb
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
3.
Adjust V
C
for P
L
= 1.2 W (BGY115A, BGY115B and BGY115D); P
L
= 1.4 W (BGY115C/P).
Adjust V
C
for P
L
≤
1.2 W (BGY115A, BGY115B and BGY115D); P
L
≤
1.4 W, V
S
= 4.8 to 8 V (BGY115C/P).
Adjust V
C
for P
L
= 1.6 W; V
S
= 8.5 V; VSWR
≤
10 : 1; (BGY115A, BGY115B and BGY115D). Adjust
V
C
for P
L
= 1.6 W; V
S
= 9 V, VSWR
≤
6 : 1 (BGY115C/P).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
f
frequency
BGY115A
BGY115B
BGY115C/P
BGY115D
leakage current
control current
load power
BGY115A, BGY115B, BGY115D
BGY115C/P
power gain
BGY115A, BGY115B, BGY115D
BGY115C/P
efficiency
second harmonic
third harmonic
input VSWR
stability
824
872
890
902
849
905
915
928
100
500
MHz
MHz
MHz
MHz
μ
A
μ
A
I
Q
I
C
P
L
V
C
= 0; P
D
<
60 dBm
note 1
1.2
1.4
W
W
G
p
note 1
27.8
28.5
45
50
40
40
3 : 1
60
dB
dB
%
dBc
dBc
η
H
2
H
3
VSWR
in
note 1
note 1
note 1
note 1
P
D
= 0 to 6 dBm;
V
S
= 4.8 to 8.5 V; V
C
= 0 to 3.5 V;
VSWR
≤
6 : 1 through all phases;
note 2
V
C
= 0
bandwidth = 30 kHz;
45 MHz above f
0
; note 1
note 3
dBc
isolation
noise power
40
90
dBm
dBm
P
n
ruggedness
no degradation
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