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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BGY113C |
| 英文描述： | RF Amplifier |
| 中文描述： | 射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 10/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | BGY113C |
1996 May 13
10
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier modules
BGY115A; BGY115B;
BGY115C/P; BGY115D
Fig.23 Load power as a function of control voltage;
BGY115D, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; V
S
= 6 V; T
mb
= 25
°
C.
0
5
2
0
MBD611
1
1
2
3
4
PL
(W)
VC
902 MHz
928 MHz
Fig.24 Efficiency as a function of load power;
BGY115D, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; V
S
= 6 V; T
mb
= 25
°
C.
0
0.4
2
80
60
20
0
40
MBD612
0.8
1.2
1.6
PL
η
(%)
902 MHz
928 MHz
Fig.25 Load power as a function of frequency;
BGY115D, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; V
C
= 3.5 V; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
870
890
910
950
0
1
MBD613
930
PL
(W)
f (MHz)
VS
VS
Fig.26 Load power as a function of mounting base
temperature; BGY115D, typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; P
D
= 2 mW; V
S
= 6 V; V
C
= 3.5 V.
2
0
1
MBD614
PL
(W)
40
0
40
120
80
Tmb
o
902 MHz
928 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BGY148B | HF amplifier modules |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BGY120B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF amplifier modules |
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