參數(shù)資料
型號： BGU2003
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 放大器
英文描述： SiGe MMIC amplifier
中文描述： RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-343R, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： BGU2003
2002 May 17
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
SiGe MMIC amplifier
BGU2003
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
RF input AC coupled; T
j
= 25
°
C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
S
V
CTRL
I
S
supply voltage
voltage on control pin
supply current (DC)
RF input AC coupled
4.5
2
30
V
V
mA
forced by DC voltage on RF input
or I
CTRL
I
CTRL
P
tot
T
stg
T
j
control current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
3
135
+150
150
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
100
°
C
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
350
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
S
supply current
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
CTRL
= 0.4 mA
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
CTRL
= 1.0 mA
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 900 MHz
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 1800 MHz
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 900 MHz
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 1800 MHz
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 0;
f = 900 MHz
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 0;
f = 1800 MHz
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 900 MHz;
Γ
S
=
Γ
opt
V
VS-OUT
= 2.5 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 1800 MHz;
Γ
S
=
Γ
opt
V
VS-OUT
= 2.3 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 900 MHz
V
VS-OUT
= 2.3 V; I
VS-OUT
= 10 mA;
f = 1800 MHz
2.5
6
4.5
10
23
6.5
15
mA
mA
dB
MSG
maximum stable gain
18
dB
|
s
21
|
2
insertion power gain
18
19
dB
13
14
dB
s
12
isolation
26
dB
20
dB
NF
noise figure
1.0
2
dB
1.1
2
dB
IP3
(out)
output intercept point;
Z
S
= Z
L
50
19
dBm
21
dBm
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