參數(shù)資料
型號： BGF844
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： GSM800 EDGE power module
中文描述： 869 MHz - 894 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-365C, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： BGF844
2003 Jun 06
4
Philips Semiconductors
Product specification
GSM800 EDGE power module
BGF844
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
4
8
12
16
PL (AV)(W)
20
29.6
Gp
η
η
(%)
28.8
28.4
29.2
48
36
12
0
24
MBL772
Fig.2
GSM EDGE power gain and efficiency as
functions of load power; typical values.
f = 882 MHz.
handbook, halfpage
(dBc)
0
4
12
68
8
2
6
10
PL (AV) (W)
66
64
62
60
MBL773
Fig.3
GSM EDGE ACPR at 400 kHz as a function
of load power; typical values.
f = 882 MHz.
Fig.3
handbook, halfpage
EVM
(%)
0
4
12
PL (AV) (W)
3
1
0
2
8
2
6
10
MBL774
Fig.4
GSM EDGE rms EVM as a function of
average load power; typical values.
f = 882 MHz.
handbook, halfpage
(%)
0
4
12
0
4
8
2
6
10
8
2
6
10
PL (AV) (W)
MBL775
Fig.5
GSM EDGE peak EVM as function of
average load power; typical values.
f = 882 MHz.
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