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參數(shù)資料
| 型號： | BGD906MI |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | CATV amplifier modules |
| 中文描述： | 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT-115J, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BGD906MI |
2000 Mar 28
6
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier modules
BGD906; BGD906MI
handbook, halfpage
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
CTB
(dB)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MGS664
(4)
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Composite triple beat as a function of
frequency under tilted conditions.
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
Z
= Z
= 75
; V
= 24 V; 129 chs;
tilt = 12.5 dB (50 to 860 MHz).
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
Xmod
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MGS665
(3)
(1)
(2)
(4)
Fig.6
Crossmodulationasafunctionoffrequency
under tilted conditions.
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
Z
= Z
= 75
; V
= 24 V; 129 chs;
tilt = 12.5 dB (50 to 860 MHz).
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
handbook, halfpage
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
CSO
(dB)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MGS666
(2)
(3)
(4)
(1)
Fig.7
Composite second order distortion as a
function of frequency under tilted conditions.
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
σ
.
Z
= Z
= 75
; V
= 24 V; 129 chs;
tilt = 12.5 dB (50 to 860 MHz).
(3) Typ.
(4) Typ.
3
σ
.
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