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參數(shù)資料
| 型號： | BGD702D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | CATV amplifier module(CATV放大器模塊) |
| 中文描述： | 40 MHz - 750 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT115J, 9 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | BGD702D |
1997 Mar 25
2
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier module
BGD702D
FEATURES
Excellent linearity
Extremely low noise
Silicon nitride passivation
Rugged construction
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
CATV systems in the 40 to 750 MHz frequency range.
DESCRIPTION
Hybrid high dynamic range cascode amplifier module with
darlington pre-stage dies operating at a voltage supply of
24 V (DC).
PINNING - SOT115J
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
5
7
8
9
input
common
common
+V
B
common
common
output
Fig.1 Simplified outline.
handbook, halfpage
1 2 3
5
7 8 9
MSA319 - 1
Side view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
G
p
power gain
f = 50 MHz
f = 750 MHz
V
B
= 24 V
18
20
400
19
435
dB
dB
mA
I
tot
total current consumption (DC)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
V
B
V
i
T
stg
T
mb
supply voltage
RF input voltage
storage temperature
operating mounting base temperature
40
20
25
65
+100
+100
V
dBmV
°
C
°
C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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