參數資料
型號： BGB550
英文描述： ?Biased RF-Trans. in SIEGET45 Technology Icmax = 300mA. SCT595 ?
中文描述： ？偏射頻跨。在SIEGET45技術Icmax \u003d 300mA的。 SCT595？
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代理商： BGB550
26.04.2002
Page 1
WS DS M 1
BGB550
Mediumpower broadband amplifier
MMIC
Vd = 2.0V, Id = 100mA
Symbol
IS21I
2
/ (G
MA
)
Power Gain / (max. available)
Parameter
frequency
900 MHz
1.8 GHz
900 MHz
1.8 GHz
900 MHz
1.8 GHz
900 MHz
1.8 GHz
Unit
dB
Value
17 (22)
11 (16)
1.3
1.5
19
19
28
28
NF
Noise Figure
dB
P-1dB
Output Compression Point
dBm
OIP3
Output Third Order Intercept Point
dBm
Features and Benefits
Features and Benefits
- mirror biased RF transistor
- collector current up to
350mA
- mirror biased RF transistor
- collector current up to
350mA
- low operation voltage V
CC
< 3V
- high output power & linearity
- low operation voltage V
CC
< 3V
- high output power & linearity
- input matching improved by L
ext
- SCT595 package
- input matching improved by L
ext
- SCT595 package
NEW
B,1
E, 2,5
C, 4
Bias, 3
internal circuit
RFin
L
ext
~ nH
MP:
now
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PDF描述
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BGD104 PV SERIES
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參數描述
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