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參數(shù)資料
| 型號： | BFU790F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封裝： | BFU790F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | BFU790F |
BFU790F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 22 April 2011
7 of 12
NXP Semiconductors
BFU790F
NPN wideband silicon germanium RF transistor
V
CE
= 1 V; I
C
= 20 mA; T
amb
= 25
°
C.
Gain as a function of frequency; typical values
V
CE
= 1 V; I
C
= 85 mA; T
amb
= 25
°
C.
Gain as a function of frequency; typical values
Fig 7.
Fig 8.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
(1) f = 2.4 GHz
(2) f = 1.8 GHz
(3) f = 1.5 GHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
Fig 9.
Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values
Fig 10. Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values
f (GHz)
0
10
8
4
6
2
001aam878
20
10
30
40
G
(dB)
0
MSG
G
p(max)
IS21I
2
f (GHz)
0
10
8
4
6
2
001aam879
20
10
30
40
G
(dB)
0
MSG
G
p(max)
IS21I
2
I
C
(mA)
0
40
30
10
20
001aam880
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
NF
min
(dB)
0
(1)
(2)
(3)
001aam881
f (GHz)
0
3
2
1
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
NF
min
(dB)
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU790F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BLT50 | UHF power transistor |
| BLT50 | UHF power transistor |
| BLT70 | UHF power transistor |
| BLT70 | UHF power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU790F,115 | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| BFU790F,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU790 Series 2.8 V 19.5 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor-SOT-343F-4 |
| BFU790F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF-U811 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SINGLE DIGIT LED DISPLAYS |
| BF-U811RD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SINGLE DIGIT LED DISPLAYS |
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