- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378417 > BFU730F (NXP Semiconductors N.V.) NPN wideband silicon germanium RF transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BFU730F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封裝： | BFU730F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | BFU730F |
BFU730F
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 29 April 2011
6 of 12
NXP Semiconductors
BFU730F
NPN wideband silicon germanium RF transistor
f = 1 MHz, T
amb
= 25
°
C.
Collector-base capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C.
Transition frequency as a function of collector
current; typical values
Fig 4.
Fig 5.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
(1) f = 1.5 GHz
(2) f = 1.8 GHz
(3) f = 2.4 GHz
(4) f = 5.8 GHz
(5) f = 12 GHz
Fig 6.
Gain as a function of collector current; typical value
V
CB
(V)
0
4
3
1
2
001aam855
40
20
60
80
C
CBS
(fF)
0
I
C
(mA)
0
50
40
20
30
10
001aam856
20
40
60
fT
(GHz)
0
I
C
(mA)
0
50
40
20
30
10
001aam857
10
20
30
G
(dB)
0
(1)
(3)
(4)
(5)
MSG
G
p(max)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU730F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU760F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU760F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU760F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU760F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU730F,115 | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| BFU730F,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU730 Series 2.8 V 12.5 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor-SOT-343F-4 |
| BFU730LXZ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFU730LX/XQFN3/SMBPSMDLPR// - Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SiGe:C MMIC Transistor |
| BFU760F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU760F,115 | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續(xù)電流: 功率耗散: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。