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參數(shù)資料
| 型號： | BFU725F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| 封裝： | BFU725F/N1<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | BFU725F |
BFU725F_N1
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
7 of 12
NXP Semiconductors
BFU725F/N1
NPN wideband silicon germanium RF transistor
V
CE
= 2 V; I
C
= 5 mA; T
amb
= 25
C.
Gain as a function of frequency; typical values
V
CE
= 2 V; I
C
= 25 mA; T
amb
= 25
C.
Gain as a function of frequency; typical values
Fig 7.
Fig 8.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
C.
(1) f = 12 GHz
(2) f = 5.8 GHz
(3) f = 2.4 GHz
(4) f = 1.8 GHz
(5) f = 1.5 GHz
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
C.
(1) I
C
= 25 mA
(2) I
C
= 5 mA
Fig 9.
Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values
Fig 10. Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values
001aah430
20
30
10
40
50
G
(dB)
0
10
2
f (GHz)
10
2
10
10
1
1
MSG
IS21I
2
MSG
G
p(max)
001aah431
20
30
10
40
50
G
(dB)
0
10
2
f (GHz)
10
2
10
10
1
1
MSG
MSG
IS21I
2
G
p(max)
001aah432
I
C
(mA)
0
30
20
10
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
NF
min
(dB)
0
(3)
(4)
(5)
(1)
(2)
f (GHz)
0
16
12
4
8
001aah433
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
NF
min
(dB)
0
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F | NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU725F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF NPN Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU725F/N1 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
| BFU725F/N1,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU725F/N1,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFU725 Series 2.8 V 18 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor - SOT-343F-4 |
| BFU725F_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon germanium RF transistor |
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