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參數(shù)資料
| 型號： | BFU660F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 封裝： | BFU660F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | BFU660F |
BFU660F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 11 January 2011
9 of 12
NXP Semiconductors
BFU660F
NPN wideband silicon RF transistor
9. Abbreviations
Table 8.
Acronym
DC
LNA
LTE
NPN
RF
SDARS
UMTS
10. Revision history
Table 9.
Document ID
BFU660F v.1
Abbreviations
Description
Direct Current
Low Noise Amplifier
Long Term Evolution
Negative-Positive-Negative
Radio Frequency
Satellite Digital Audio Radio Service
Universal Mobile Telecommunications System
Revision history
Release date
20110111
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU690F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU660F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU668F,115 | 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F RoHS:是 類別:未定義的類別 >> 其它 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* 其它名稱:MS305720A |
| BFU690F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU690F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 18GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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