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參數(shù)資料
| 型號： | BFU660F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 中文描述： | X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, FLAT PACK-4 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | BFU660F |
BFU660F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 11 January 2011
4 of 12
NXP Semiconductors
BFU660F
NPN wideband silicon RF transistor
7. Characteristics
Table 7.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
V
(BR)CEO
collector-emitter breakdown voltage
I
C
collector current
I
CBO
collector-base cut-off current
h
FE
DC current gain
C
CES
collector-emitter capacitance
C
EBS
emitter-base capacitance
C
CBS
collector-base capacitance
f
T
transition frequency
Characteristics
Conditions
I
C
= 2.5
μ
A; I
E
= 0 mA
I
C
= 1 mA; I
B
= 0 mA
Min Typ
16
5.5
-
-
90
-
-
-
-
Max Unit
-
-
60
100
180
-
-
-
-
-
-
30
-
135
297
664
138
21
V
V
mA
nA
I
E
= 0 mA; V
CB
= 8 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V
V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 1 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 30 mA; V
CE
= 1 V; T
amb
= 25
°
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 1 V; T
amb
= 25
°
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
I
C
= 6 mA; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
opt
;
T
amb
= 25
°
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
I
C
= 6 mA; V
CE
= 2 V;
Γ
S
=
Γ
opt
;
T
amb
= 25
°
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
I
C
= 60 mA; V
CE
= 4 V;
Z
S
= Z
L
= 50
Ω
; T
amb
= 25
°
C
f = 1.5 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
f = 5.8 GHz
fF
fF
fF
GHz
G
p(max)
maximum power gain
[1]
-
-
-
-
25
24
22
12.5
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
|
s
21
|
2
insertion power gain
-
-
-
-
20
18.5
16
8.5
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
NF
noise figure
-
-
-
-
0.60
0.65
0.70
1.20
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
G
ass
associated gain
-
-
-
-
21
20
17.5
12
-
-
-
-
dB
dB
dB
dB
P
L(1dB)
output power at 1 dB gain compression
-
-
-
-
17
17
16
18.5
-
-
-
-
dBm
dBm
dBm
dBm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU660F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU660F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU668F,115 | 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F RoHS:是 類別:未定義的類別 >> 其它 系列:* 標準包裝:1 系列:* 其它名稱:MS305720A |
| BFU690F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU690F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 18GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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