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參數(shù)資料
| 型號： | BFU610F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN wideband silicon RF transistor |
| 封裝： | BFU610F<SOT343F (SOT343F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343F.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | BFU610F |
BFU610F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 11 January 2011
7 of 12
NXP Semiconductors
BFU610F
NPN wideband silicon RF transistor
V
CE
= 2 V; I
C
= 1 mA; T
amb
= 25
°
C.
Gain as a function of frequency; typical values
V
CE
= 2 V; I
C
= 5 mA; T
amb
= 25
°
C.
Gain as a function of frequency; typical values
Fig 7.
Fig 8.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
(1) f = 5.8 GHz
(2) f = 2.4 GHz
(3) f = 1.8 GHz
(4) f = 1.5 GHz
V
CE
= 2 V; I
C
= 2 mA; T
amb
= 25
°
C.
Fig 9.
Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values
Fig 10. Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values
f (GHz)
0
25
20
10
15
5
001aam808
20
30
10
40
50
G
(dB)
0
MSG
|S21|
2
G
p(max)
f (GHz)
0
25
20
10
15
5
001aam809
20
30
10
40
50
G
(dB)
0
MSG
|S21|
2
G
p(max)
I
C
(mA)
0
10
8
4
6
2
001aam810
1
2
3
NF
min
(dB)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
001aam811
f (GHz)
0
6
4
2
1.0
0.5
1.5
2.0
NF
min
(dB)
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFU610F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F | NPN wideband silicon RF transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFU610F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 15GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU610F115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFU630F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
| BFU630F,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFU660F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN wideband silicon RF transistor |
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